摘要:随着集成电路(IC)工艺节点的不断缩小, 光刻版图中的热点问题对于芯片性能和可靠性的影响日益显著. 鉴于传统基于深度学习的光刻热点检测方法难以满足先进集成电路制造对于检测精度和模型泛化能力的要求, 提出一种基于深度学习的kNViT ($ k $-nearest vision Transformer)模型, 用于光刻热点的精确检测. 所提出模型采用对比归一化模块(CNM)和$k $-最近邻注意力模块(kNAM)来提升特征表示和识别精度. 同时, 利用光刻版图扩散模型(PLDM)生成图像, 增强数据多样性. 此外, 提出电路特征感知损失函数(CALF), 优化光刻版图扩散模型在预测噪声时的表现. 通过数据增强策略, 旋转和对比度调整, 进一步提升模型的泛化能力. 实验结果表明: kNViT模型在多个光刻版图数据集上展现出高准确率的热点检测性能; 在ICCAD 2012数据集上, 平均召回率达到99.7%, 平均准确率为98%, 平均精确率达到90.9%, F1分数为95%. 研究表明, kNViT模型可作为辅助检测工具, 有效提高检测准确性和效率, 具有工业设计应用潜力.